当X射线光子进入检测器后 ， 在Si晶体内激发出一定数目的电子空穴对 。产生一个空穴对的最低平均能量是一定的 ， 而由一个X射线光子造成的空穴对的数目 ， 因此 ， 入射X射线光子的能量越高 ， N就越大 。利用加在晶体两端的偏压收集电子空穴对 ， 经过前置放大器转换成电流脉冲 ， 电流脉冲的高度取决于N的大小 。电流脉冲经过主放大器转换成电压脉冲进入多道脉冲高度分析器 ， 脉冲高度分析器按高度把脉冲分类进行计数 ， 这样就可以描出一张X射线按能量大小分布的图谱 。
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